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CSD16327Q3T

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Numero parte	CSD16327Q3T
LIXINC Part #	CSD16327Q3T
Produttore	Texas Instruments
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	CSD16327Q3T Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

CSD16327Q3T Specifiche

Numero parte:	CSD16327Q3T
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Texas Instruments
serie:	NexFET™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	60A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	3V, 8V
rds su (max) @ id, vgs:	4mOhm @ 24A, 8V
vgs(th) (massimo) @ id:	1.4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	8.4 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	+10V, -8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1300 pF @ 12.5 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	74W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

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