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Numero parte | TT8U2TR |
LIXINC Part # | TT8U2TR |
Produttore | ROHM Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TT8U2TR Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TT8U2TR |
Marca: | ROHM Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | ROHM Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Not For New Designs |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 20 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 2.4A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 1.5V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 105mOhm @ 2.4A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 6.7 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 850 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | Schottky Diode (Isolated) |
dissipazione di potenza (max): | 1.25W (Ta) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-TSST |
pacchetto/caso: | 8-SMD, Flat Lead |
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In magazzino | 11652 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.45000 | $0.45 |
3000 | $0.14901 | $447.03 |
6000 | $0.13940 | $836.4 |
15000 | $0.13459 | $2018.85 |
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