IRFH5007TR2PBF

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Numero parte IRFH5007TR2PBF
LIXINC Part # IRFH5007TR2PBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFH5007TR2PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRFH5007TR2PBF Specifiche

Numero parte:IRFH5007TR2PBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):75 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:17A (Ta), 100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:5.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 150µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:98 nC @ 10 V
vgs (massimo):-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4.29 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):-
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-PQFN (5x6)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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