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CSD23202W10

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Numero parte	CSD23202W10
LIXINC Part #	CSD23202W10
Produttore	Texas Instruments
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	CSD23202W10 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

CSD23202W10 Specifiche

Numero parte:	CSD23202W10
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Texas Instruments
serie:	NexFET™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	12 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2.2A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	1.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:	53mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	900mV @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	3.8 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	-6V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	512 pF @ 6 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	4-DSBGA (1x1)
pacchetto/caso:	4-UFBGA, DSBGA

SI4056ADY-T1-GE3	MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC	5853 Maggiori informazioni su Ordine
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