IAUC120N06S5N017ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IAUC120N06S5N017ATMA1 | IAUC120N06S5N017ATMA1 Inventory, Best Pricing

IAUC120N06S5N017ATMA1

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Numero parte	IAUC120N06S5N017ATMA1
LIXINC Part #	IAUC120N06S5N017ATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IAUC120N06S5N017ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 24 - Sep 28 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IAUC120N06S5N017ATMA1 Specifiche

Numero parte:	IAUC120N06S5N017ATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	120A (Tj)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	-
rds su (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.4V @ 94µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	95.9 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	6.952 nF @ 30 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	167W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TDSON-8-43
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

BSP88L6327	N-CHANNEL POWER MOSFET	38566 Maggiori informazioni su Ordine
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IPT60R075CFD7XTMA1	MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF	2859 Maggiori informazioni su Ordine
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FDMC8854	MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP	3840 Maggiori informazioni su Ordine
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