2N7002E,215 | Rochester Electronics 2N7002E,215 | 2N7002E,215 Inventory, Best Pricing

2N7002E,215

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Numero parte	2N7002E,215
LIXINC Part #	2N7002E,215
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	2N7002E,215 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

2N7002E,215 Specifiche

Numero parte:	2N7002E,215
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	TrenchMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	385mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	0.69 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	50 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	830mW (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-236AB
pacchetto/caso:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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