C3M0120065D

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Numero parte C3M0120065D
LIXINC Part # C3M0120065D
Produttore Wolfspeed - a Cree company
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione 650V 120M SIC MOSFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD C3M0120065D Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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C3M0120065D Specifiche

Numero parte:C3M0120065D
Marca:Wolfspeed - a Cree company
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wolfspeed - a Cree company
serie:C3M™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:22A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):15V
rds su (max) @ id, vgs:157mOhm @ 6.76A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id:3.6V @ 1.86mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 15 V
vgs (massimo):+19V, -8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:640 pF @ 400 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):98W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247-3
pacchetto/caso:TO-247-3

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