BUZ31HXKSA1

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Numero parte BUZ31HXKSA1
LIXINC Part # BUZ31HXKSA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BUZ31HXKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
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BUZ31HXKSA1 Specifiche

Numero parte:BUZ31HXKSA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:SIPMOS®
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:14.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V
rds su (max) @ id, vgs:200mOhm @ 9A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.12 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):95W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO220-3
pacchetto/caso:TO-220-3

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