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IRFR3711TRLPBF

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Numero parte	IRFR3711TRLPBF
LIXINC Part #	IRFR3711TRLPBF
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRFR3711TRLPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRFR3711TRLPBF Specifiche

Numero parte:	IRFR3711TRLPBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	6.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	44 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2.98 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.5W (Ta), 120W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D-Pak
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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