LSIC1MO170E1000

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Numero parte LSIC1MO170E1000
LIXINC Part # LSIC1MO170E1000
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD LSIC1MO170E1000 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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LSIC1MO170E1000 Specifiche

Numero parte:LSIC1MO170E1000
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
tensione drain-source (vdss):1700 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):15V, 20V
rds su (max) @ id, vgs:1Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 20 V
vgs (massimo):+22V, -6V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:200 pF @ 1000 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):54W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247-3L
pacchetto/caso:TO-247-3

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