FQU11P06TU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQU11P06TU

FQU11P06TU

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Numero parte	FQU11P06TU
LIXINC Part #	FQU11P06TU
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FQU11P06TU Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FQU11P06TU Specifiche

Numero parte:	FQU11P06TU
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	QFET®
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9.4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	185mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	550 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.5W (Ta), 38W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	I-PAK
pacchetto/caso:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

HUF76131SK8T	N-CHANNEL POWER MOSFET	10981 Maggiori informazioni su Ordine
IRFR3708TRRPBF	MOSFET N-CH 30V 61A DPAK	902 Maggiori informazioni su Ordine
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