TSM4ND65CI

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Numero parte TSM4ND65CI
LIXINC Part # TSM4ND65CI
Produttore TSC (Taiwan Semiconductor)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TSM4ND65CI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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TSM4ND65CI Specifiche

Numero parte:TSM4ND65CI
Marca:TSC (Taiwan Semiconductor)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:TSC (Taiwan Semiconductor)
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:2.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.8V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:16.8 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:596 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):41.6W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:ITO-220
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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