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Numero parte | C3M0280090J |
LIXINC Part # | C3M0280090J |
Produttore | Wolfspeed - a Cree company |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | C3M0280090J Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | C3M0280090J |
Marca: | Wolfspeed - a Cree company |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Wolfspeed - a Cree company |
serie: | C3M™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
tensione drain-source (vdss): | 900 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 11A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 15V |
rds su (max) @ id, vgs: | 360mOhm @ 7.5A, 15V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3.5V @ 1.2mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 9.5 nC @ 15 V |
vgs (massimo): | +18V, -8V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 150 pF @ 600 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | D2PAK-7 |
pacchetto/caso: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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In magazzino | 10968 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
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