IPB180N04S4LH0ATMA1 | Rochester Electronics IPB180N04S4LH0ATMA1 | IPB180N04S4LH0ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB180N04S4LH0ATMA1

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Numero parte	IPB180N04S4LH0ATMA1
LIXINC Part #	IPB180N04S4LH0ATMA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPB180N04S4LH0ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPB180N04S4LH0ATMA1 Specifiche

Numero parte:	IPB180N04S4LH0ATMA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	180A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.2V @ 180µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	310 nC @ 10 V
vgs (massimo):	+20V, -16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	24.44 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	250W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO263-7-3
pacchetto/caso:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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