FDP2D9N12C | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDP2D9N12C

FDP2D9N12C

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Numero parte	FDP2D9N12C
LIXINC Part #	FDP2D9N12C
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	PTNG 120V N-FET TO220
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDP2D9N12C Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDP2D9N12C Specifiche

Numero parte:	FDP2D9N12C
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	120 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	18A (Ta), 210A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	2.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 686µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	109 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	8894 pF @ 60 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.4W (Ta), 333W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220-3
pacchetto/caso:	TO-220-3

BUZ101SL	N-CHANNEL POWER MOSFET	24759 Maggiori informazioni su Ordine
BUK6226-75C,118	MOSFET N-CH 75V 33A DPAK	8867 Maggiori informazioni su Ordine
IRFI830G	MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3	965 Maggiori informazioni su Ordine
ZXM64P02XTA	MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP	1062 Maggiori informazioni su Ordine
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IPA060N06NXKSA1	MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP	14446 Maggiori informazioni su Ordine
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