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IRFHS8342TR2PBF

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Numero parte	IRFHS8342TR2PBF
LIXINC Part #	IRFHS8342TR2PBF
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRFHS8342TR2PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRFHS8342TR2PBF Specifiche

Numero parte:	IRFHS8342TR2PBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	8.8A (Ta), 19A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	-
rds su (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.35V @ 25µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	8.7 nC @ 10 V
vgs (massimo):	-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	600 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	-
temperatura di esercizio:	-
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TSDSON-6
pacchetto/caso:	6-PowerVDFN

IPB120N06S402ATMA2	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3	2198 Maggiori informazioni su Ordine
STH270N4F3-2	MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK	950 Maggiori informazioni su Ordine
STF21N65M5	MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP	1261 Maggiori informazioni su Ordine
CDM2208-800FP SL PBFREE	MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP	881 Maggiori informazioni su Ordine
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STB75NF75LT4	MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK	1020 Maggiori informazioni su Ordine
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FQP20N06L	MOSFET N-CH 60V 21A TO220-3	977 Maggiori informazioni su Ordine
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