IPB50R199CPATMA1

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Numero parte IPB50R199CPATMA1
LIXINC Part # IPB50R199CPATMA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPB50R199CPATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
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IPB50R199CPATMA1 Specifiche

Numero parte:IPB50R199CPATMA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:CoolMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):550 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:17A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:199mOhm @ 9.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 660µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.8 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):139W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO263-3-2
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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