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CSD17318Q2T

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Numero parte	CSD17318Q2T
LIXINC Part #	CSD17318Q2T
Produttore	Texas Instruments
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	CSD17318Q2T Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

CSD17318Q2T Specifiche

Numero parte:	CSD17318Q2T
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Texas Instruments
serie:	NexFET™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	25A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	2.5V, 8V
rds su (max) @ id, vgs:	15.1mOhm @ 8A, 8V
vgs(th) (massimo) @ id:	1.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	879 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	16W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	6-WSON (2x2)
pacchetto/caso:	6-WDFN Exposed Pad

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