STQ1NK60ZR-AP

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Numero parte STQ1NK60ZR-AP
LIXINC Part # STQ1NK60ZR-AP
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STQ1NK60ZR-AP Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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STQ1NK60ZR-AP Specifiche

Numero parte:STQ1NK60ZR-AP
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:SuperMESH™
pacchetto:Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:300mA (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:15Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 50µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:6.9 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:94 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-92-3
pacchetto/caso:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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