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Numero parte | STQ1NK60ZR-AP |
LIXINC Part # | STQ1NK60ZR-AP |
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | STQ1NK60ZR-AP Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | STQ1NK60ZR-AP |
Marca: | STMicroelectronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | STMicroelectronics |
serie: | SuperMESH™ |
pacchetto: | Cut Tape (CT)Tape & Box (TB) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 300mA (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 15Ohm @ 400mA, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.5V @ 50µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 6.9 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 94 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 3W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-92-3 |
pacchetto/caso: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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In magazzino | 10969 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.56000 | $0.56 |
2000 | $0.19778 | $395.56 |
6000 | $0.18502 | $1110.12 |
10000 | $0.17226 | $1722.6 |
50000 | $0.16240 | $8120 |
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