NVMYS2D4N04CTWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMYS2D4N04CTWG

NVMYS2D4N04CTWG

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Numero parte	NVMYS2D4N04CTWG
LIXINC Part #	NVMYS2D4N04CTWG
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NVMYS2D4N04CTWG Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NVMYS2D4N04CTWG Specifiche

Numero parte:	NVMYS2D4N04CTWG
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	30A (Ta), 138A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 90µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	32 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2100 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.9W (Ta), 83W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	LFPAK4 (5x6)
pacchetto/caso:	SOT-1023, 4-LFPAK

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