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Numero parte | SCH2080KEC |
LIXINC Part # | SCH2080KEC |
Produttore | ROHM Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | SICFET N-CH 1200V 40A TO247 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SCH2080KEC Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SCH2080KEC |
Marca: | ROHM Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | ROHM Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
tensione drain-source (vdss): | 1200 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 40A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 18V |
rds su (max) @ id, vgs: | 117mOhm @ 10A, 18V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 4.4mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 106 nC @ 18 V |
vgs (massimo): | +22V, -6V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1850 pF @ 800 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 262W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-247 |
pacchetto/caso: | TO-247-3 |
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IPT004N03LATMA1 | MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF | 959 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 12023 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $40.02000 | $40.02 |
10 | $36.91014 | $369.1014 |
25 | $35.25148 | $881.287 |
100 | $31.51878 | $3151.878 |
360 | $30.06725 | $10824.21 |
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