RSJ10HN06TL

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Numero parte RSJ10HN06TL
LIXINC Part # RSJ10HN06TL
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RSJ10HN06TL Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 01 - Jul 05 2024(Scegli spedizione rapida)
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RSJ10HN06TL Specifiche

Numero parte:RSJ10HN06TL
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:4.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:202 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:11000 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:LPTS
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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