RM2A3P60S4

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Numero parte RM2A3P60S4
LIXINC Part # RM2A3P60S4
Produttore Rectron USA
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT223-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RM2A3P60S4 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jun 29 - Jul 03 2024(Scegli spedizione rapida)
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RM2A3P60S4 Specifiche

Numero parte:RM2A3P60S4
Marca:Rectron USA
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rectron USA
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.3A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:180mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOT-223-3
pacchetto/caso:TO-261-4, TO-261AA

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