BSC105N10LSFGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC105N10LSFGATMA1 | BSC105N10LSFGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC105N10LSFGATMA1

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Numero parte	BSC105N10LSFGATMA1
LIXINC Part #	BSC105N10LSFGATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BSC105N10LSFGATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BSC105N10LSFGATMA1 Specifiche

Numero parte:	BSC105N10LSFGATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Not For New Designs
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	11.4A (Ta), 90A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	10.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.4V @ 110µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	53 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3900 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	156W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TDSON-8-1
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

STW75NF30AG	MOSFET N-CH 300V 60A TO247	832 Maggiori informazioni su Ordine
TSM033NA04LCR RLG	MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN	5761 Maggiori informazioni su Ordine
SI2301-TP	MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23	2653 Maggiori informazioni su Ordine
IRFP3306PBF	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC	2599 Maggiori informazioni su Ordine
DMP2066LSN-7	MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3	23448 Maggiori informazioni su Ordine
STL120N2VH5	MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT	959 Maggiori informazioni su Ordine
STU3N45K3	MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK	814 Maggiori informazioni su Ordine
FQA13N80-F109	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	975 Maggiori informazioni su Ordine
SIHP15N80AE-GE3	MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB	1950 Maggiori informazioni su Ordine
AOWF125A60	MOSFET N-CH 600V 28A TO262F	1985 Maggiori informazioni su Ordine
SI8413DB-T1-E1	MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT	3788 Maggiori informazioni su Ordine
TK14G65W,RQ	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK	3696 Maggiori informazioni su Ordine
RM180N100T2	MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3	880 Maggiori informazioni su Ordine