BSP297L6327HTSA1 | Rochester Electronics BSP297L6327HTSA1 | BSP297L6327HTSA1 Inventory, Best Pricing

BSP297L6327HTSA1

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Numero parte	BSP297L6327HTSA1
LIXINC Part #	BSP297L6327HTSA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BSP297L6327HTSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BSP297L6327HTSA1 Specifiche

Numero parte:	BSP297L6327HTSA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	SIPMOS®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	660mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.8Ohm @ 660mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	1.8V @ 400µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	16.1 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	357 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1.8W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-SOT223-4
pacchetto/caso:	TO-261-4, TO-261AA

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