IXTA3N100D2HV

IXTA3N100D2HV
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Numero parte IXTA3N100D2HV
LIXINC Part # IXTA3N100D2HV
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXTA3N100D2HV Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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IXTA3N100D2HV Specifiche

Numero parte:IXTA3N100D2HV
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):1000 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3A (Tj)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):0V
rds su (max) @ id, vgs:6Ohm @ 1.5A, 0V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:37.5 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1020 pF @ 25 V
caratteristica del feto:Depletion Mode
dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-263HV
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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