XPN6R706NC,L1XHQ

XPN6R706NC,L1XHQ
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Numero parte XPN6R706NC,L1XHQ
LIXINC Part # XPN6R706NC,L1XHQ
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD XPN6R706NC,L1XHQ Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
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XPN6R706NC,L1XHQ Specifiche

Numero parte:XPN6R706NC,L1XHQ
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVIII-H
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:40A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:6.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 300µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2000 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):840mW (Ta), 100W (Tc)
temperatura di esercizio:175°C
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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