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Numero parte | 2N7002E-T1-GE3 |
LIXINC Part # | 2N7002E-T1-GE3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 240MA TO236 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | 2N7002E-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | 2N7002E-T1-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 240mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 3Ohm @ 250mA, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 0.6 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 21 pF @ 5 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 350mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-236 |
pacchetto/caso: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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In magazzino | 15961 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.43000 | $0.43 |
3000 | $0.16632 | $498.96 |
6000 | $0.15618 | $937.08 |
15000 | $0.14605 | $2190.75 |
30000 | $0.13895 | $4168.5 |
75000 | $0.13821 | $10365.75 |
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