Solo per riferimento
Numero parte | FDS6614A |
LIXINC Part # | FDS6614A |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FDS6614A Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FDS6614A |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | PowerTrench® |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 9.3A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 18mOhm @ 9.3A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 17 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1.16 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-SOIC |
pacchetto/caso: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
BS250FTA | MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3 | 2147484563 Maggiori informazioni su Ordine |
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AOB7S65L | MOSFET N-CH 650V 7A TO263 | 830 Maggiori informazioni su Ordine |
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IPW60R024P7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41 | 856 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 26685 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
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