IXFQ30N60X

IXFQ30N60X
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Numero parte IXFQ30N60X
LIXINC Part # IXFQ30N60X
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXFQ30N60X Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
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IXFQ30N60X Specifiche

Numero parte:IXFQ30N60X
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:HiPerFET™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:30A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:155mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 4mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2270 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):500W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-3P
pacchetto/caso:TO-3P-3, SC-65-3

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