IXTA08N100D2HV-TRL

IXTA08N100D2HV-TRL
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Numero parte IXTA08N100D2HV-TRL
LIXINC Part # IXTA08N100D2HV-TRL
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXTA08N100D2HV-TRL Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IXTA08N100D2HV-TRL Specifiche

Numero parte:IXTA08N100D2HV-TRL
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):1000 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:800mA (Tj)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):0V
rds su (max) @ id, vgs:21Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 25µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:14.6 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:325 pF @ 25 V
caratteristica del feto:Depletion Mode
dissipazione di potenza (max):60W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-263HV
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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