NVBG080N120SC1

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Numero parte NVBG080N120SC1
LIXINC Part # NVBG080N120SC1
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione TRANS SJT N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NVBG080N120SC1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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NVBG080N120SC1 Specifiche

Numero parte:NVBG080N120SC1
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
tensione drain-source (vdss):1200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:30A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):20V
rds su (max) @ id, vgs:110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (massimo) @ id:4.3V @ 5mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 20 V
vgs (massimo):+25V, -15V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1154 pF @ 800 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):179W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK-7
pacchetto/caso:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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