TK160F10N1,LXGQ

TK160F10N1,LXGQ
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Numero parte TK160F10N1,LXGQ
LIXINC Part # TK160F10N1,LXGQ
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TK160F10N1,LXGQ Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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TK160F10N1,LXGQ Specifiche

Numero parte:TK160F10N1,LXGQ
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVIII-H
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Not For New Designs
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:160A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:2.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:121 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:8510 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):375W (Tc)
temperatura di esercizio:175°C
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220SM(W)
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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