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Numero parte | IXTP1R4N100P |
LIXINC Part # | IXTP1R4N100P |
Produttore | Wickmann / Littelfuse |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IXTP1R4N100P Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 11 - Oct 15 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IXTP1R4N100P |
Marca: | Wickmann / Littelfuse |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Wickmann / Littelfuse |
serie: | Polar™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 1000 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 1.4A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 11Ohm @ 500mA, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.5V @ 50µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 17.8 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 450 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 63W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220AB |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
RM80N20DN | MOSFET N-CHANNEL 20V 80A 8PPAK | 991 Maggiori informazioni su Ordine |
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STB22N60DM6 | MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK | 930 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10973 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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