SISS26DN-T1-GE3

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Numero parte SISS26DN-T1-GE3
LIXINC Part # SISS26DN-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SISS26DN-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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SISS26DN-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SISS26DN-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET® Gen IV
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:60A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:4.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.6V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:37 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1710 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):57W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
pacchetto/caso:PowerPAK® 1212-8S

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