IPD30N03S2L07ATMA1 | Rochester Electronics IPD30N03S2L07ATMA1 | IPD30N03S2L07ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD30N03S2L07ATMA1

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Numero parte	IPD30N03S2L07ATMA1
LIXINC Part #	IPD30N03S2L07ATMA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPD30N03S2L07ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPD30N03S2L07ATMA1 Specifiche

Numero parte:	IPD30N03S2L07ATMA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	30A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	6.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2V @ 85µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	68 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1.9 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	136W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO252-3
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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