IPAW60R190CEXKSA1

IPAW60R190CEXKSA1
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Numero parte IPAW60R190CEXKSA1
LIXINC Part # IPAW60R190CEXKSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPAW60R190CEXKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IPAW60R190CEXKSA1 Specifiche

Numero parte:IPAW60R190CEXKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolMOS™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:26.7A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 630µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1400 pF @ 100 V
caratteristica del feto:Super Junction
dissipazione di potenza (max):34W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO220 Full Pack
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack

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