BUK9Y19-55B/C2,115

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Numero parte BUK9Y19-55B/C2,115
LIXINC Part # BUK9Y19-55B/C2,115
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BUK9Y19-55B/C2,115 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BUK9Y19-55B/C2,115 Specifiche

Numero parte:BUK9Y19-55B/C2,115
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:46A
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:17.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 5 V
vgs (massimo):-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.992 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):-
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:LFPAK56, Power-SO8
pacchetto/caso:SC-100, SOT-669

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