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CSD19532Q5BT

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Numero parte	CSD19532Q5BT
LIXINC Part #	CSD19532Q5BT
Produttore	Texas Instruments
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	CSD19532Q5BT Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

CSD19532Q5BT Specifiche

Numero parte:	CSD19532Q5BT
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Texas Instruments
serie:	NexFET™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	100A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	4.9mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	62 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4810 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.1W (Ta), 195W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-VSON-CLIP (5x6)
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

DMP2066UFDE-7	MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN	959 Maggiori informazioni su Ordine
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HUF76429D3ST	MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA	33309 Maggiori informazioni su Ordine
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BSP316PL6327	P-CHANNEL MOSFET	993 Maggiori informazioni su Ordine
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