IPD90N06S4L06ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPD90N06S4L06ATMA2 | IPD90N06S4L06ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPD90N06S4L06ATMA2

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Numero parte	IPD90N06S4L06ATMA2
LIXINC Part #	IPD90N06S4L06ATMA2
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPD90N06S4L06ATMA2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPD90N06S4L06ATMA2 Specifiche

Numero parte:	IPD90N06S4L06ATMA2
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	90A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	6.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.2V @ 40µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	5680 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	79W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO252-3-11
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPW60R060C7XKSA1	MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3	1062 Maggiori informazioni su Ordine
IPZ60R060C7XKSA1	MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4	1124 Maggiori informazioni su Ordine
SUM52N20-39P-E3	MOSFET N-CH 200V 52A TO263	841 Maggiori informazioni su Ordine
IXFH50N20	MOSFET N-CH 200V 50A TO247AD	2665 Maggiori informazioni su Ordine
CSD16570Q5BT	MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON	3672 Maggiori informazioni su Ordine
RM2P60S2	MOSFET P-CHANNEL 60V 1.9A SOT23	893 Maggiori informazioni su Ordine
DMG7N65SJ3	MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251	861 Maggiori informazioni su Ordine
IRLS4030-7PPBF	IRLS4030 - HEXFET POWER MOSFET	1119 Maggiori informazioni su Ordine
IXTP12N65X2	MOSFET N-CH 650V 12A TO220	2164 Maggiori informazioni su Ordine
IPP80N08S406AKSA1	MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3-1	77663 Maggiori informazioni su Ordine
SI7450DP-T1-E3	MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8	3211 Maggiori informazioni su Ordine
FQPF28N15	MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F	2852 Maggiori informazioni su Ordine
2SK1445LS	N-CHANNEL SILICON MOSFET	14513 Maggiori informazioni su Ordine