STD8N60DM2

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Numero parte STD8N60DM2
LIXINC Part # STD8N60DM2
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STD8N60DM2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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STD8N60DM2 Specifiche

Numero parte:STD8N60DM2
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:MDmesh™ DM2
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:600mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:13.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:375 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):85W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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