Solo per riferimento
Numero parte | STD8N60DM2 |
LIXINC Part # | STD8N60DM2 |
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 8A DPAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | STD8N60DM2 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | STD8N60DM2 |
Marca: | STMicroelectronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | STMicroelectronics |
serie: | MDmesh™ DM2 |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 8A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 600mOhm @ 4A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 5V @ 100µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 13.5 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 375 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 85W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | DPAK |
pacchetto/caso: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IRFB4310ZPBF | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | 2894 Maggiori informazioni su Ordine |
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IXFN26N100P | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B | 2113 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 13209 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.33000 | $1.33 |
2500 | $0.70930 | $1773.25 |
5000 | $0.67773 | $3388.65 |
12500 | $0.65518 | $8189.75 |
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