FDI045N10A

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Numero parte FDI045N10A
LIXINC Part # FDI045N10A
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDI045N10A Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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FDI045N10A Specifiche

Numero parte:FDI045N10A
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:PowerTrench®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:120A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:74 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5.27 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):263W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:I2PAK (TO-262)
pacchetto/caso:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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