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Numero parte | XPH3R114MC,L1XHQ |
LIXINC Part # | XPH3R114MC,L1XHQ |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | XPH3R114MC,L1XHQ Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | XPH3R114MC,L1XHQ |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | U-MOSVI |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 40 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 100A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 3.1mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.1V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 230 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | +20V, -10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 9500 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 175°C |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-SOP Advance (5x5) |
pacchetto/caso: | 8-SOIC (0.197", 5.00mm Width) |
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In magazzino | 14225 - Maggiori informazioni su Ordine |
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