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2SJ266-DL-E

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Numero parte	2SJ266-DL-E
LIXINC Part #	2SJ266-DL-E
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - rf
Descrizione	PCH 4V DRIVE SERIES
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	2SJ266-DL-E Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

2SJ266-DL-E Specifiche

Numero parte:	2SJ266-DL-E
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - rf
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	*
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo a transistor:	-
frequenza:	-
guadagno:	-
tensione - prova:	-
corrente nominale (ampere):	-
figura di rumore:	-
corrente - prova:	-
potenza - uscita:	-
tensione - nominale:	-
pacchetto/caso:	-
pacchetto del dispositivo del fornitore:	-

STAC2942BW	TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B	1023 Maggiori informazioni su Ordine
BLC8G27LS-210PVY	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513	879 Maggiori informazioni su Ordine
BF904A,215	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143	3816 Maggiori informazioni su Ordine
BF2040E6814	RF N-CHANNEL MOSFET	10856 Maggiori informazioni su Ordine
BLM7G1822S-80PBGY	RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122	871 Maggiori informazioni su Ordine
MRF6VP3091NBR1	FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4	859 Maggiori informazioni su Ordine
BLS7G3135L-350P,11	RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A	1029 Maggiori informazioni su Ordine
BLF9G38LS-90PU	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B	945 Maggiori informazioni su Ordine
NE3512S02-T1C-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	6346 Maggiori informazioni su Ordine
WP2806045UH	RF GAN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 45W	875 Maggiori informazioni su Ordine
NPT1012B	HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ	910 Maggiori informazioni su Ordine
ARF461BG	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	857 Maggiori informazioni su Ordine
CGH40025F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	1542 Maggiori informazioni su Ordine