3SK293(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 3SK293(TE85L,F)

3SK293(TE85L,F)

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Numero parte	3SK293(TE85L,F)
LIXINC Part #	3SK293(TE85L,F)
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - rf
Descrizione	FET RF 12.5V 800MHZ USQ
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	3SK293(TE85L,F) Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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3SK293(TE85L,F) Specifiche

Numero parte:	3SK293(TE85L,F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - rf
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo a transistor:	N-Channel Dual Gate
frequenza:	800MHz
guadagno:	22dB
tensione - prova:	6 V
corrente nominale (ampere):	30mA
figura di rumore:	2.5dB
corrente - prova:	10 mA
potenza - uscita:	-
tensione - nominale:	12.5 V
pacchetto/caso:	SC-82A, SOT-343
pacchetto del dispositivo del fornitore:	USQ

BLS7G2730LS-200PU	RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539B	804 Maggiori informazioni su Ordine
PD54008S-E	FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10	835 Maggiori informazioni su Ordine
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