SI4966DY-T1-GE3

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Numero parte SI4966DY-T1-GE3
LIXINC Part # SI4966DY-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI4966DY-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 24 - Sep 28 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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SI4966DY-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SI4966DY-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:-
rds su (max) @ id, vgs:25mOhm @ 7.1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:50nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
potenza - max:2W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SO

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