SIZ904DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIZ904DT-T1-GE3 | SIZ904DT-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIZ904DT-T1-GE3

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Numero parte	SIZ904DT-T1-GE3
LIXINC Part #	SIZ904DT-T1-GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SIZ904DT-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SIZ904DT-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:	SIZ904DT-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	2 N-Channel (Half Bridge)
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	12A, 16A
rds su (max) @ id, vgs:	24mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	12nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	435pF @ 15V
potenza - max:	20W, 33W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	6-PowerPair™
pacchetto del dispositivo del fornitore:	6-PowerPair™

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