2SB808G-SPA-AC

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Numero parte 2SB808G-SPA-AC
LIXINC Part # 2SB808G-SPA-AC
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione SILICON EPITAXIAL PLANAR
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2SB808G-SPA-AC Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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2SB808G-SPA-AC Specifiche

Numero parte:2SB808G-SPA-AC
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:*
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo a transistor:-
corrente - collettore (ic) (max):-
tensione - guasto collettore emettitore (max):-
vce saturazione (max) @ ib, ic:-
corrente - taglio collettore (max):-
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:-
potenza - max:-
frequenza - transizione:-
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:-
pacchetto/caso:-
pacchetto del dispositivo del fornitore:-

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