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Numero parte | 2SD1407A-Y(F) |
LIXINC Part # | 2SD1407A-Y(F) |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - bipolare (bjt) - singolo |
Descrizione | TRANS NPN 100V 5A TO220NIS |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | 2SD1407A-Y(F) Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | 2SD1407A-Y(F) |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - bipolare (bjt) - singolo |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Obsolete |
tipo a transistor: | NPN |
corrente - collettore (ic) (max): | 5 A |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 100 V |
vce saturazione (max) @ ib, ic: | 2V @ 400mA, 4A |
corrente - taglio collettore (max): | 100µA (ICBO) |
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce: | 120 @ 1A, 5V |
potenza - max: | 30 W |
frequenza - transizione: | 12MHz |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto/caso: | TO-220-3 Full Pack |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220NIS |
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In magazzino | 10840 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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