MJE800G

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Numero parte MJE800G
LIXINC Part # MJE800G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MJE800G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MJE800G Specifiche

Numero parte:MJE800G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo a transistor:NPN - Darlington
corrente - collettore (ic) (max):4 A
tensione - guasto collettore emettitore (max):60 V
vce saturazione (max) @ ib, ic:2.5V @ 30mA, 1.5A
corrente - taglio collettore (max):100µA
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:750 @ 1.5A, 3V
potenza - max:40 W
frequenza - transizione:-
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-225AA, TO-126-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-225AA

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